Research-grade epitaxial wafers

Optimized Process Integration with Epitaxial Structures

Zn 확산은 아연(Zn) 원자를 에피택셜 층의 상부 표면에 열 확산시켜 p형 영역을 형성하는 열 도핑 방식입니다. 확산 깊이와 프로파일을 정밀하게 제어함으로써, 에피솔루션은 낮은 누설 전류를 가진 p-n 접합과 정밀한 캐리어 농도 제어를 구현합니다.

에피솔루션의 Zn 확산 공정은 MOCVD 기반 PIN 및 APD 구조와 완벽히 호환되며, 다음과 같은 첨단 공정 기술로 지원됩니다:

• PECVD SiO₂ 패시베이션: 횡방향 확산 방지 및 표면 안정화
• Lift-Off 금속 마스크 패터닝: 선택적 도핑을 위한 국소 확산 영역 정의
• RIE 식각 통합: 확산 전·후 정밀 패터닝 가능
• 자동화된 열 프로파일 제어: 확산 깊이와 농도의 일관성 확보

Performance Highlights

• 제어된 확산 깊이: 0.5 µm ~ 3 µm 범위에서 조절 가능
• 낮은 접합 저항 및 우수한 열 안정성
• 균일한 도펀트 분포: 도핑 농도 변동 < ±5%
• 낮은 누설 전류: 최적화된 PIN 및 APD 구조에서 < 1 nA
• 완벽한 호환성:InP 기반 에피택셜 적층 구조와 완전 호환

Target Applications

• InGaAs PIN 포토다이오드
• InGaAs 애벌랜치 포토다이오드(APD)
• 양자폭포 레이저(QCL) – P-콘택 형성
• 고속·고감도 광전자 소자