Research-grade epitaxial wafers

Comprehensive Simulation Capabilities

에피솔루션은 다양한 반도체 소자에 대해 다음과 같은 정밀한 모델링과 수치 해석을 제공합니다:

• 밴드 다이어그램 분석: 에너지 밴드 정렬, 이종접합 계면, 양자우물 구속 효과 시각화
• 전기장 분포: 항복 전압, 캐리어 드리프트 동역학, 애벌랜치 증폭 영역 평가
• 도핑 농도 프로파일: 도펀트 확산, 활성화, 접합 깊이를 나노미터 정밀도로 시뮬레이션
• 광 흡수 & 캐리어 수송: 포토다이오드, 태양전지, 나노와이어 소자의 빛-물질 상호작용 모델링
• 열 효과 & 신뢰성: 자체 발열, 누설 전류, 고출력 동작 시 장기 안정성 예측

Why Choose EpiSolution’s TCAD Simulation?

• 에피 구조 최적화: InGaAs PIN PD, APD, QCL, GaAs 태양전지 등 에피택시 및 슈퍼래티스 설계 전문성을 반영한 맞춤형 시뮬레이션
• 가속화된 소자 개발: 비용이 큰 웨이퍼 성장·공정 단계 이전에, 다수의 설계 반복을 가상으로 테스트하여 개발 속도 향상
• 제조 공정과의 연계 최적화: 시뮬레이션 파라미터를 MOCVD 기반 에피택셜 웨이퍼와 일치시켜, 이론과 실제 사이의 일관성 극대화

Applications

• 고속 InGaAs 광검출기 (PIN PD, APD, SPAD)
• 맞춤형 초격자 설계 기반 양자폭포레이저(QCL)
• 항공우주 및 IoT 응용을 위한 고효율 GaAs 태양전지
• 맞춤형 소자 개발 요청