Research-grade epitaxial wafers

Lattice-Matched InGaAs Epi Wafer

InGaAs PIN 포토다이오드는 근적외선(NIR) 영역에서 우수한 감도, 낮은 암전류(dark current), 빠른 응답 속도로 뛰어난 성능을 발휘합니다.

기존 실리콘 검출기와 달리, InGaAs 소재는 900–1700 nm 파장 범위 전반에 걸쳐 높은 양자 효율(Quantum Efficiency)과 낮은 노이즈를 유지합니다. 또한 넓은 온도 범위에서도 선형성과 안정적인 성능을 보장하며, 저전력 동작이 가능하다는 장점을 갖습니다.

저희 In₀.₅₃Ga₀.₄₇As 에피 웨이퍼는 InP 기판과 격자 정합(lattice-matched)되도록 설계되어 고성능 광검출기 응용에 최적화되어 있습니다. MOCVD 공정으로 제작된 이 웨이퍼는 2~4인치 크기에서 우수한 재료 품질과 균일성을 제공하며, 8×10¹⁴ cm⁻³ 이하의 배경 캐리어 농도와 8,500 츠²/Vs 이상의 높은 캐리어 이동도를 확보하여 낮은 암전류, 높은 감도, 안정적인 소자 성능을 보장합니다. 또한 I–V 및 PL 데이터가 제공되어 신속한 다이오드 프로토타이핑이 가능하며, 통신, 산업, 의료 분야에 적합합니다.

에피솔루션은 고품질 제작을 목표로 한 MOCVD Zn 확산 구조를 지속적으로 개발하고 있습니다. 이를 위해 Lift-off 콘택트 링 형성, PECVD SiO₂ 증착, SiO₂ RIE 식각 등 첨단 공정을 적용하여 정밀한 층 제어, 안정적인 표면 패시베이션, 뛰어난 계면 균일성을 달성합니다. 이러한 기술들은 고성능 광전자 소자 제조에 필수적인 기반을 제공합니다.

Specification_LM_InGaAs.pdf

• 웨이퍼 크기: 2", 3", 4"
• 재료: In₀.₅₃Ga₀.₄₇As / InP 기판
• 층 구조: p-i-n 구조, 2 µm 비도핑 intrinsic 영역
• 배경 도핑 농도: < 8×10¹⁴ cm⁻³
• 캐리어 이동도: > 8,500 cm²/Vs
• 누설 전류: < 1 nA @ -5 V
• 격자 불일치: < 0.1%