Research-grade epitaxial wafers

Innovative Epitaxial Design for High-Efficiency GaAs Solar Cells

듀얼 접합 또는 초박막 단일 접합 구조로 설계된 태양전지 에피 구조는 최대 광자 흡수와 최소 재결합 손실을 실현합니다. 정밀한 두께 제어를 통해 높은 양자 효율과 접합 전류 매칭을 보장하며, Lift-off 및 직접 접합 기술을 활용해 플렉서블 및 다중 표면 적용이 가능합니다.

Advanced Expertise in GaAs PV Growth and Processing

에피솔루션은 GaAs 기반 태양전지 구조의 성장, 전사, 제작에 대한 전문성을 바탕으로 초기 설계부터 양산까지 지원합니다. 무접착 금속 접합과 웨이퍼 재활용을 통해 효율성과 지속 가능성을 높이며, 우주급 모듈부터 IoT 응용까지 높은 수율과 탁월한 성능을 제공합니다.

Related Publications

Our innovations are backed by peer-reviewed research, including:
"AlGaAs/Si dual-junction tandem solar cells by epitaxial lift-off and print-transfer-assisted direct bonding", Energy Science & Engineering, 6, 47-55 (2018)
🔗 https://doi.org/10.1002/ese3.182
"Ultra-thin flexible GaAs photovoltaics in vertical forms printed on metal surfaces without interlayer adhesives", Appl. Phys. Lett. 108, 253101 (2016)
🔗 https://doi.org/10.1063/1.4954039

Performance Highlights

• 초박막 & 플렉서블 디자인: 곡면 또는 경량 플랫폼에 최적화
• 고효율: 넓은 스펙트럼 영역에서 뛰어난 전력 변환 성능 제공
• 무접착 금속 접합: 직접 장착 및 우수한 열 안정성 구현
• Lift-Off & 웨이퍼 재사용: 지속 가능하고 비용 효율적인 생산 가능

Key Specifications for GaAs PV Development

• 웨이퍼 종류 (Wafer Type): GaAs 또는 AlGaAs 기반 헤테로구조
• 구조 (Structure): 단일 접합 또는 다중 접합 에피택셜 적층 구조
• 유연성 (Flexibility): 두께 조절을 통한 굽힘 또는 수직 장착 최적화
• 스펙트럼 범위 (Spectral Range): 300–900 nm 영역 최적화
• 층 균일도 (Layer Uniformity): 2인치 웨이퍼 전반에서 ±3% 이하
• Lift-Off 기능 (Lift-Off Capability): 에피택셜 Lift-off 및 프린트 전사 가능
• 성장 방식 (Growth Method): MOCVD 또는 MBE (요청 시 제공)