EPI Solution

에피솔루션은 고성능 Ⅲ-Ⅴ 광전자 소자를 위한 핵심 공정 단계인 매립형 이종구조(Buried Heterostructure, BH) 형성을 위해 첨단 선택 영역 재성장(Selective Area Regrowth) 기술을 제공합니다. 이 기술은 활성 영역을 선택적으로 재성장한 절연층 또는 반절연층으로 매립하여 전류와 광 모드를 정밀하게 수평 및 수직으로 구속할 수 있습니다.

기존 성장 방식과 달리, 선택 영역 재성장은 미리 정의된 개구부에서만 국소적으로 에피택셜 재성장을 가능하게 하여 전류 차단, 잡음 억제, 열적 안정성을 크게 향상시킵니다. 이를 통해 포토디텍터, 변조기, 집적 광자 소자 등 다양한 응용 분야에서 탁월한 성능을 구현할 수 있습니다.

Performance Highlights

선택적 마스크 패터닝 및 개구 정의
- PECVD로 증착된 SiO₂ 또는 SiN 마스크 사용
- RIE(반응성 이온 식각)를 통해 정밀한 재성장 윈도우 형성
Fe 도핑 또는 반절연 InP 층 재성장
- 횡방향 전류 차단 및 광학 모드 구속
- 소자 절연성 및 신뢰성을 높이는 매립 구조 형성
재성장 전 표면 처리
- In-situ 열 탈착 및 Pre-flow 공정으로 계면 결함 최소화
- 원자 단위로 깨끗한 표면 확보 → 고품질 에피 계면 형성
원자 수준의 매끄러운 재성장 계면
- RMS 거칠기 5 Å 이하 (AFM, TEM 검증 완료)

Key Specifications

기판 (Substrate): InP (2-inch)
재성장 재료 (Regrowth Materials): Fe 도핑 InP, 반절연 InP
마스킹 층 (Masking Layer): PECVD SiO₂ 또는 SiN
계면 거칠기 (Interface Roughness): < 5 Å RMS
재성장 균일도 (Regrowth Uniformity): 웨이퍼 전반 ±3% 이하
성장 방식 (Growth Method): MOCVD 기반 선택적 재성장 공정

Research-grade epitaxial wafers

Selective Area Regrowth for Buried Heterostructure (BH)

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